Samsung Galaxy S6 Edge Plus: benchmark conferma 4 GB di RAM

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In questi giorni stiamo leggendo indiscrezioni di ogni genere riguardo il Samsung Galaxy S6 edge+, segno che non solo il phablet esiste per davvero, ma anche la sua presentazione ufficiale potrebbe essere dietro l’angolo.

Nelle scorse settimane ci sono state molte indiscrezioni sul Galaxy Note 5, ma non sono mancate le voci di corridoio sul Samsung Galaxy S6 edge+, evoluzione dell’attuale Galaxy S6 Edge e caratterizzato da un display curvo di maggiori dimensioni, molto probabilmente di circa 5.7 – 6 pollici. E adesso, direttamente dai risultati di un benchmark pubblicati online, scopriamo che il device avrà sotto la scocca 4 GB di memoria RAM.

Lo stesso becnhmark Geekbench, uno dei più utilizzati in ambito Android, svela che il phablet avrà al suo interno il chipset proprietario Exynos 7420, lo stesso presente nel Galaxy S6 Edge e nel Galaxy S6. La notizia non deve certo sorprendere, dal momento che Samsung da sempre preferisce utilizzare i propri chipset, piuttosto che affidarsi ad aziende di terze parti, in primis Qualcomm. Producendo i chipset “in casa”, Samsung non solo si assicura un maggiore risparmio, ma è anche in grado di regolare meglio la produzione alla vigilia del lancio.

Il quantitativo di 4 GB di memoria RAM servirà a garantire un multitasking sempre molto reattivo, anche quando vengono avviate in background delle app esose di risorse.

Samsung ha confermato l’evento stampa il prossimo 13 Agosto a New York, pertanto dovremo attendere soltanto poche settimane per scoprire tutti i dettagli sulle caratteristiche tecniche dei nuovissimi Galaxy Note 5 e Galaxy S6 Edge Plus. La casa sud coreana di solito attendeva la fiera IFA di Berlino a Settembre per la presentazione del nuovo Note, ma quest’anno preferisce giocare d’anticipo, così da non passare in secondo piano a causa dell’iPhone 6S Plus.

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